Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ450DP-T1-GE3

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228-2887
Référence fabricant:
SiJ450DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

113A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

75.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 45 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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