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Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2365EDS-T1-GE3

N° de stock RS:: 812-3139
Référence fabricant:: SI2365EDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2365EDS-T1-GE3

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N° de stock RS:: 812-3139
Référence fabricant:: SI2365EDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-23
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0675Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13.8nC
	Minimum Operating Temperature	-50°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-23
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0675Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.8nC
	Minimum Operating Temperature -50°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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