Références fabricant

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2387DS-T1-GE3

N° de stock RS:: 228-2813
Référence fabricant:: Si2387DS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2387DS-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 228-2813
Référence fabricant:: Si2387DS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	SOT-23
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.8nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type SOT-23
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.8nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - Si2387DS-T1-GE3

The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

100 % Rg and UIS tested

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