Vishay P-Channel 60-V Type P-Channel MOSFET, 11.5 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212
- N° de stock RS:
- 225-9933
- Référence fabricant:
- SQ7415CENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 068,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,356 € | 1 068,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 225-9933
- Référence fabricant:
- SQ7415CENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | P-Channel 60-V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 136mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Forward Voltage Vf | -0.85V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 3.3 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series P-Channel 60-V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 136mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Forward Voltage Vf -0.85V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Length 3.3mm | ||
Width 3.3 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
TrenchFET power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
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