Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS966ENW-T1_GE3

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N° de stock RS:
178-3851
Référence fabricant:
SQS966ENW-T1_GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.82V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

27.8W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Length

3.15mm

Width

3.15 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
TrenchFET® power MOSFET

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