Références fabricant

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB30N60E-GE3

N° de stock RS:: 768-9310
Référence fabricant:: SIHB30N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

6,06 €

(TVA exclue)

7,33 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

266 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Plus 689 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 septembre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité
1 - 9	6,06 €
10 - 49	5,46 €
50 - 99	4,86 €
100 - 249	4,56 €
250 +	4,24 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 768-9310
Référence fabricant:: SIHB30N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	125mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	85nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	9.65mm
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 9.65mm
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

Features

Low figure-of-merit (FOM) RDS(on) x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Low on-resistance (RDS(on))

Ultra-low gate charge (Qg)

Fast switching

Reduced switching and conduction losses

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.