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Vishay E Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB30N60E-GE3

N° de stock RS:: 768-9310
Référence fabricant:: SIHB30N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

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N° de stock RS:: 768-9310
Référence fabricant:: SIHB30N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	125mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	85nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.83mm
	Width	9.65 mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.83mm
	Width 9.65 mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

Features

Low figure-of-merit (FOM) RDS(on) x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Low on-resistance (RDS(on))

Ultra-low gate charge (Qg)

Fast switching

Reduced switching and conduction losses

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB30N60E-GE3

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

Features

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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