Références fabricant

Infineon IPS70R Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R1K4P7SAKMA1

N° de stock RS:: 222-4931
Référence fabricant:: IPS70R1K4P7SAKMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IPS70R Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R1K4P7SAKMA1

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Unité	Prix par unité	le paquet*
25 - 100	0,314 €	7,85 €
125 - 225	0,276 €	6,90 €
250 - 600	0,269 €	6,73 €
625 - 1225	0,262 €	6,55 €
1250 +	0,256 €	6,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 222-4931
Référence fabricant:: IPS70R1K4P7SAKMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	TO-251
	Series	IPS70R
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.7nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	22.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	6.22mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.4 mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type TO-251
	Series IPS70R
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 22.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 6.22mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.4 mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPS70R1K4P7SAKMA1

The Infineon developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the new 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V

Allowing high speed switching

Integrated protection Zener diode

Optimized V (GS)th of 3V with very narrow tolerance of ±0.5V

Finely graduated portfolio

Infineon IPS70R Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R1K4P7SAKMA1

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