Infineon IPS70R Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251

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N° de stock RS:
222-4930
Référence fabricant:
IPS70R1K4P7SAKMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-251

Series

IPS70R

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

22.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.7nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.4 mm

Height

6.22mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Infineon developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the new 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V

Allowing high speed switching

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