Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET

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N° de stock RS:
222-4736
Référence fabricant:
IRF6620TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

150A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

HEXFET

Package Type

DirectFET

Mount Type

Surface

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Standards/Approvals

No

Width

5.05 mm

Length

6.35mm

Height

0.68mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced Direct FETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.

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