Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 35 A, 150 V, 7-Pin DirectFET
- N° de stock RS:
- 260-5937
- Référence fabricant:
- IRF6643TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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4 176,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4800 + | 0,87 € | 4 176,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 260-5937
- Référence fabricant:
- IRF6643TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | DirectFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type DirectFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD, and EMI.
Latest MOSFET silicon technology
Dual sided cooling compatible
Compatible with existing surface mount technologies
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