Infineon Type N-Channel MOSFET, 375 A, 60 V Enhancement, 15-Pin DirectFET

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N° de stock RS:
165-8086
Référence fabricant:
IRF7749L1TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

375A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

DirectFET

Mount Type

Surface

Pin Count

15

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

200nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

9.15mm

Height

0.49mm

Width

7.1 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MX

DirectFET® Power MOSFET, Infineon


The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in Advanced switching applications.

Industry lowest on-resistance in their respective footprints

Extremely low package resistance to minimise conduction losses

Highly efficient dual-sided cooling significantly improves power density, cost and reliability

Low profile of only 0.7mm

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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