Références fabricant

Infineon DirectFET, HEXFET Type N-Channel MOSFET, 375 A, 60 V Enhancement, 15-Pin DirectFET

N° de stock RS:: 165-8086
Référence fabricant:: IRF7749L1TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon DirectFET, HEXFET Type N-Channel MOSFET, 375 A, 60 V Enhancement, 15-Pin DirectFET

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

8 112,00 €

(TVA exclue)

9 816,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
4000 +	2,028 €	8 112,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 165-8086
Référence fabricant:: IRF7749L1TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	375A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	DirectFET, HEXFET
	Package Type	DirectFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	15
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	200nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	0.49mm
	Length	9.15mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 375A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series DirectFET, HEXFET
	Package Type DirectFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 15
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 200nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 0.49mm
	Length 9.15mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: MX

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in Advanced switching applications.

Industry lowest on-resistance in their respective footprints

Extremely low package resistance to minimise conduction losses

Highly efficient dual-sided cooling significantly improves power density, cost and reliability

Low profile of only 0.7mm

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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