Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 150 V, 2-Pin DirectFET

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N° de stock RS:
218-3101
Référence fabricant:
IRF6775MTRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

DirectFET

Mount Type

Surface

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Length

4.85mm

Standards/Approvals

No

Width

3.95 mm

Height

0.68mm

Automotive Standard

No

The Infineon 150V Single N-channel HEXFET power MOSFET. This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. The lower inductance improves EMI performance by reducing the voltage ringing that accompanies fast current transients.

Latest MOSFET Silicon technology

Dual sided cooling compatible

Compatible with existing surface mount technologies

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