Références fabricant

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 50 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 222-4607
Référence fabricant:: AUIRF7103QTR
Fabricant:: Infineon

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 50 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 222-4607
Référence fabricant:: AUIRF7103QTR
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	50V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	130mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 50V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 130mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AUIRF7103QTR

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.

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