Références fabricant

Infineon Dual HEXFET 2 N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 223-8452
Référence fabricant:: AUIRF7341QTR
Fabricant:: Infineon

Infineon Dual HEXFET 2 N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 223-8452
Référence fabricant:: AUIRF7341QTR
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	SO-8
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	500mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	29nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	3V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Width	4mm
	Height	1.5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type SO-8
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 3V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Width 4mm
	Height 1.5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AUIRF7341QTR

The Infineon HEXFET power MOSFET in a dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. The efficient SO-8 package provides enhanced thermal characteristics and dual MOSFET die capability making it ideal in a variety of power applications.

Advanced planar technology

Dynamic dV/dT rating

Logic level gate drive

175°C operating temperature

Fast switching

Lead free

RoHS compliant

Automotive qualified

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