Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 23 A, 30 V, 3-Pin TO-252 IRLR2703TRPBF
- N° de stock RS:
- 218-3128
- Référence fabricant:
- IRLR2703TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
13,10 €
(TVA exclue)
15,85 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 4 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,524 € | 13,10 € |
| 125 - 225 | 0,497 € | 12,43 € |
| 250 - 600 | 0,477 € | 11,93 € |
| 625 - 1225 | 0,456 € | 11,40 € |
| 1250 + | 0,424 € | 10,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-3128
- Référence fabricant:
- IRLR2703TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 162nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 341W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 20.7mm | |
| Width | 5.31 mm | |
| Length | 15.87mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 162nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 341W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 20.7mm | ||
Width 5.31 mm | ||
Length 15.87mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET series N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering techniques.
Ultra Low On-Resistance
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead free
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V TO-252 IRLR8726TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR3709ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR8743TRPBF