Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 86 A, 30 V TO-252
- N° de stock RS:
- 257-9464
- Référence fabricant:
- IRLR8726TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 257-9464
- Référence fabricant:
- IRLR8726TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 86A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 86A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRLR series is the 30V single n channel HEXFET power mosfet in a D Pak package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Logic Level is optimized for 5 V gate drive voltage
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
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