Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V, 3-Pin IPAK IRFU7546PBF
- N° de stock RS:
- 218-3126
- Référence fabricant:
- IRFU7546PBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
17,48 €
(TVA exclue)
21,16 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 04 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 0,874 € | 17,48 € |
| 40 - 80 | 0,802 € | 16,04 € |
| 100 - 220 | 0,741 € | 14,82 € |
| 240 - 480 | 0,687 € | 13,74 € |
| 500 + | 0,668 € | 13,36 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-3126
- Référence fabricant:
- IRFU7546PBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 71A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | IPAK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.9mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 99W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 87nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.22mm | |
| Width | 2.39 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 71A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type IPAK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.9mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 99W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 87nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.22mm | ||
Width 2.39 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET series N-Channel power MOSFET. It is used for applications where switching is below <100KHz.
Lead-free, RoHS compliant
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin IPAK IRFU7546PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK IRFR7546TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin IPAK IRLU024NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin IPAK IRLU3110ZPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin IPAK IRFU4510PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin IPAK IRFU3607PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin IPAK IRFU120NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin IPAK IRLU8743PBF
