Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- N° de stock RS:
- 262-6778
- Référence fabricant:
- IRFU4510PBF
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 3000 unités)*
7 308,00 €
(TVA exclue)
8 844,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 04 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,436 € | 7 308,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 262-6778
- Référence fabricant:
- IRFU4510PBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 63A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | IPAK | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 143W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 2.39mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 63A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type IPAK | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 143W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 2.39mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU4510PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU120NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRLU8743PBF