Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 85 A, 150 V TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

1 018,40 €

(TVA exclue)

1 232,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 22 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
800 +1,273 €1 018,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-9432
Référence fabricant:
IRFS4321TRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Maximum Drain Source Resistance Rds

15mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

71nC

Maximum Power Dissipation Pd

330W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon IRFS series is the 150V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)

Industry standard surface mount power package

High current carrying capability package (up to 195 A, die size dependent)

Capable of being wave soldered

Liens connexes