Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 85 A, 150 V TO-263 IRFS4321TRLPBF
- N° de stock RS:
- 257-9433
- Référence fabricant:
- IRFS4321TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 257-9433
- Référence fabricant:
- IRFS4321TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 71nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 71nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 150V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)
Industry standard surface mount power package
High current carrying capability package (up to 195 A, die size dependent)
Capable of being wave soldered
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