Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

952,50 €

(TVA exclue)

1 152,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,381 €952,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
218-3050
Référence fabricant:
IPD60R280P7SAUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Maximum Power Dissipation Pd

53W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.22 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 series N-channel power MOSFET. It has extremely low switching and conduction losses which makes switching applications even more efficient, more compact and much cooler.

Significant reduction of switching and conduction losses

Suitable for hard and soft switching

Liens connexes