Références fabricant

Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R365P7AUMA1

N° de stock RS:: 214-4400
Référence fabricant:: IPL60R365P7AUMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R365P7AUMA1

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N° de stock RS:: 214-4400
Référence fabricant:: IPL60R365P7AUMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	ThinPAK
	Series	600V CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	365mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	46W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	8.1mm
	Width	8.1mm
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type ThinPAK
	Series 600V CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 365mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 46W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 8.1mm
	Width 8.1mm
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R365P7AUMA1

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

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