Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R280P7SAUMA1
- N° de stock RS:
- 218-3051
- Référence fabricant:
- IPD60R280P7SAUMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,955 € | 14,33 € |
| 75 - 135 | 0,908 € | 13,62 € |
| 150 - 360 | 0,869 € | 13,04 € |
| 375 - 735 | 0,831 € | 12,47 € |
| 750 + | 0,775 € | 11,63 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-3051
- Référence fabricant:
- IPD60R280P7SAUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | 600V CoolMOS P7 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series 600V CoolMOS P7 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P7 series N-channel power MOSFET. It has extremely low switching and conduction losses which makes switching applications even more efficient, more compact and much cooler.
Significant reduction of switching and conduction losses
Suitable for hard and soft switching
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