Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R280P7SAUMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 15 unités)*

11,25 €

(TVA exclue)

13,65 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 1 365 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
15 - 600,75 €11,25 €
75 - 1350,713 €10,70 €
150 - 3600,683 €10,25 €
375 - 7350,653 €9,80 €
750 +0,607 €9,11 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
218-3051
Référence fabricant:
IPD60R280P7SAUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

53W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.41mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 series N-channel power MOSFET. It has extremely low switching and conduction losses which makes switching applications even more efficient, more compact and much cooler.

Significant reduction of switching and conduction losses

Suitable for hard and soft switching

Liens connexes