Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 17 A, 30 V N, 8-Pin TSDSON BSZ0589NSATMA1

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218-2984
Référence fabricant:
BSZ0589NSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS 5

Package Type

TSDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.4mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.2nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Height

1.1mm

Width

3.4 mm

Automotive Standard

No

The Infineon N-Channel Power MOSFET. This MOSFET is optimized for high performance Wireless charger.

Low FOMSW for high frequency SMPS

Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

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