Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 17 A, 30 V N, 8-Pin TSDSON
- N° de stock RS:
- 218-2983
- Référence fabricant:
- BSZ0589NSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
1 595,00 €
(TVA exclue)
1 930,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 20 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,319 € | 1 595,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-2983
- Référence fabricant:
- BSZ0589NSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.4mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 3.4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.4mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.4mm | ||
Height 1.1mm | ||
Width 3.4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon N-Channel Power MOSFET. This MOSFET is optimized for high performance Wireless charger.
Low FOMSW for high frequency SMPS
Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V
100% avalanche tested
Superior thermal resistance
Liens connexes
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ0589NSATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ025N04LSATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ099N06LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ028N04LSATMA1
- Infineon OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ068N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET 25 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin TSDSON BSZ0904NSIATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 25 V, 8-Pin TSDSON BSZ060NE2LSATMA1
