Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 140 A, 30 V TO-263

N° de stock RS:: 217-2637
Référence fabricant:: IRL3803STRLPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 140 A, 30 V TO-263

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Unité	Prix par unité	la bobine*
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1600 +	1,006 €	804,80 €

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N° de stock RS:: 217-2637
Référence fabricant:: IRL3803STRLPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	140A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	140nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	200W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	15.88mm
	Width	4.83 mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 140A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 200W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 15.88mm
	Width 4.83 mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRL3803STRLPBF

The Infineon 30V Single N-Channel IR MOSFET in a D2-Pak package.

Planar cell structure for wide Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface-mount power package

High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)

Capable of being wave-soldered

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 140 A, 30 V TO-263

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