Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 3-Pin TO-263 IRF3709ZSTRRPBF
- N° de stock RS:
- 214-4451
- Référence fabricant:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
13,68 €
(TVA exclue)
16,55 €
(TVA incluse)
Ajouter 60 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Dernier stock RS
- 300 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,368 € | 13,68 € |
| 50 - 90 | 1,30 € | 13,00 € |
| 100 - 240 | 1,244 € | 12,44 € |
| 250 - 490 | 1,19 € | 11,90 € |
| 500 + | 1,108 € | 11,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4451
- Référence fabricant:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 87A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.8mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 79W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 87A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 79W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon HEXFET MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness
It has product qualification according to JEDEC standard
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V TO-263 IRL3803STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRLZ34NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-220 IRFB7740PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263