Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 3-Pin TO-263 IRF3709ZSTRRPBF
- N° de stock RS:
- 214-4451
- Référence fabricant:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4451
- Référence fabricant:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 87A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.8mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 79W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 87A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 79W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon HEXFET MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness
It has product qualification according to JEDEC standard
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