Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 3-Pin TO-263 IRF3709ZSTRRPBF

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

16,51 €

(TVA exclue)

19,98 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 300 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 401,651 €16,51 €
50 - 901,568 €15,68 €
100 - 2401,502 €15,02 €
250 - 4901,436 €14,36 €
500 +1,339 €13,39 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
214-4451
Référence fabricant:
IRF3709ZSTRRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

87A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.8mΩ

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon HEXFET MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness

It has product qualification according to JEDEC standard

Liens connexes