Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 3-Pin TO-263 IRF3709ZSTRRPBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

13,68 €

(TVA exclue)

16,55 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Dernier stock RS
  • 300 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 401,368 €13,68 €
50 - 901,30 €13,00 €
100 - 2401,244 €12,44 €
250 - 4901,19 €11,90 €
500 +1,108 €11,08 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
214-4451
Référence fabricant:
IRF3709ZSTRRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

87A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.8mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon HEXFET MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness

It has product qualification according to JEDEC standard

Liens connexes

Recently viewed