Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 3-Pin TO-263

N° de stock RS:: 214-4450
Référence fabricant:: IRF3709ZSTRRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 3-Pin TO-263

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 214-4450
Référence fabricant:: IRF3709ZSTRRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	87A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.8mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	79W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	26nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 87A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 79W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF3709ZSTRRPBF

This Infineon HEXFET MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness

It has product qualification according to JEDEC standard

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 3-Pin TO-263

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