Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 3-Pin TO-263

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N° de stock RS:
214-4450
Référence fabricant:
IRF3709ZSTRRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

87A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.8mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon HEXFET MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness

It has product qualification according to JEDEC standard

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