Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO

N° de stock RS:: 217-2608
Référence fabricant:: IRFH5020TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

3 356,00 €

(TVA exclue)

4 060,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

4 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
4000 +	0,839 €	3 356,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 217-2608
Référence fabricant:: IRFH5020TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	34A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	HEXFET
	Package Type	SuperSO
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	55mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3.6W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Height	0.9mm
	Width	6mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 34A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series HEXFET
	Package Type SuperSO
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3.6W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Height 0.9mm
	Width 6mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH5020TRPBF

The Infineon 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Normal level : Optimized for 10 V gate drive voltage

Industry standard surface-mount power package

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.