Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 324 A, 25 V SuperSO IRFH8201TRPBF

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218-3104
Référence fabricant:
IRFH8201TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

324A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SuperSO

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

950mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.9mm

Length

6mm

Width

5 mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET. It is mainly used in battery operated DC motor inverters.

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)

RoHS Compliant, Halogen-Free

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