Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 390,00 €

(TVA exclue)

1 682,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 2 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,556 €1 390,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
217-2531
Référence fabricant:
IPD80R2K7C3AATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolMOS™ C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Automotive AEC Q101 qualified

Green package (RoHS compliant)

Liens connexes