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Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 48 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFZ44ESTRLPBF

N° de stock RS:: 215-2605
Référence fabricant:: IRFZ44ESTRLPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 48 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFZ44ESTRLPBF

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 215-2605
Référence fabricant:: IRFZ44ESTRLPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	23mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	60nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFZ44ESTRLPBF

The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize Advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2pack is a surface mount power package capable of accommodating die sizes upto HEX-4. It provide the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2pack is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.

Advanced Process Technology

Fully avalanche rated

Fast switching

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