Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 235 A, 30 V, 3-Pin D2PAK AUIRF2903ZS

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N° de stock RS:
165-7675
Référence fabricant:
AUIRF2903ZS
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

235 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

HEXFET

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

231 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

160 nC @ 10 V

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.83mm

Pays d'origine :
MX

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