Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
215-2589
Référence fabricant:
IRF8910TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.5mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET Power MOSFET has 20V maximum drain source voltage in a SO-8 package. It has application as dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box.

Lead-Free

Low RDS(on)

Ultra-Low Gate Impedance

Dual N-Channel MOSFET

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