Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 95 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC052N08NS5ATMA1

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Référence fabricant:
BSC052N08NS5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

95A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SuperSO

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOSTM5Power-Transistor has 80V maximum drain source voltage with SuperSO8 5x6 package type. It has potential application as telecom server, solar, low voltage drives, light electric vehicles and adapter. It is Optimized for high performance SMPS, e.g. sync .rec and superior thermal resistance.

Optimized for synchronous rectification

Ideal for high switching frequency

Output capacitance reduction of up to 44%

R DS(on) reduction of up to 44%

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