Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 75 unités)*

21,30 €

(TVA exclue)

25,80 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 1 425 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
75 +0,284 €21,30 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
214-9104
Référence fabricant:
IPS65R1K0CEAKMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS CE

Package Type

TO-251

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15.3nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

37W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.22mm

Standards/Approvals

No

Width

2.4 mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Easy to use/drive

Very high commutation ruggedness

Qualified for standard grade applications

Liens connexes