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Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 6.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251

N° de stock RS:: 220-7438
Référence fabricant:: IPS60R1K0CEAKMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 6.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251

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N° de stock RS:: 220-7438
Référence fabricant:: IPS60R1K0CEAKMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-251
	Series	CoolMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	61W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.4 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	6.22mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-251
	Series CoolMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 61W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.4 mm
	Standards/Approvals No
	Height 6.22mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPS60R1K0CEAKMA1

The Infineon Cool MOS CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern super junction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V Cool MOS CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)

Optimized integrated R g

Low conduction losses

Low switching losses

Suitable for hard and soft switching

Easy controllable switching behaviour

Improved efficiency and consequent reduction of power consumption

Less design in effort

Easy to use

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 6.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251

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