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Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 6.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R1K0CEAKMA1

N° de stock RS:: 220-7439
Référence fabricant:: IPS60R1K0CEAKMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 6.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R1K0CEAKMA1

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100 - 180	0,457 €	9,14 €
200 - 480	0,427 €	8,54 €
500 - 980	0,398 €	7,96 €
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N° de stock RS:: 220-7439
Référence fabricant:: IPS60R1K0CEAKMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	CoolMOS
	Package Type	TO-251
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	61W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	6.22mm
	Length	6.73mm
	Width	2.4 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series CoolMOS
	Package Type TO-251
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 61W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 6.22mm
	Length 6.73mm
	Width 2.4 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPS60R1K0CEAKMA1

The Infineon Cool MOS CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern super junction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V Cool MOS CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)

Optimized integrated R g

Low conduction losses

Low switching losses

Suitable for hard and soft switching

Easy controllable switching behaviour

Improved efficiency and consequent reduction of power consumption

Less design in effort

Easy to use

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 6.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R1K0CEAKMA1

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