Références fabricant

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R1K4P7SAUMA1

N° de stock RS:: 214-9047
Référence fabricant:: IPD70R1K4P7SAUMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R1K4P7SAUMA1

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Unité	Prix par unité	le paquet*
50 - 50	0,554 €	27,70 €
100 - 200	0,426 €	21,30 €
250 - 450	0,399 €	19,95 €
500 - 1200	0,371 €	18,55 €
1250 +	0,343 €	17,15 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 214-9047
Référence fabricant:: IPD70R1K4P7SAUMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	TO-252
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd	22.7W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	2.41mm
	Width	6.22 mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type TO-252
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd 22.7W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 2.41mm
	Width 6.22 mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD70R1K4P7SAUMA1

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc. The new series provides all the benefits of a fast switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

It has Excellent thermal behaviour

Integrated ESD protection diode

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R1K4P7SAUMA1

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