Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 214-4391
- Référence fabricant:
- IPD70R360P7SAUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 2500 unités)*
865,00 €
(TVA exclue)
1 047,50 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 04 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,346 € | 865,00 € |
| 5000 + | 0,337 € | 842,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4391
- Référence fabricant:
- IPD70R360P7SAUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | 700V CoolMOS P7 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 360mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 59.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series 700V CoolMOS P7 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 59.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.
It supports less magnetic size with lower BOM costs
It has high ESD ruggedness
Liens connexes
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R360P7SAUMA1
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin IPAK IPSA70R360P7SAKMA1
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPAN70R360P7SXKSA1
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R360P7SATMA1
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252