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Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R900P7SAUMA1

N° de stock RS:: 214-4394
Référence fabricant:: IPD70R900P7SAUMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R900P7SAUMA1

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N° de stock RS:: 214-4394
Référence fabricant:: IPD70R900P7SAUMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	TO-252
	Series	700V CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	900mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	30.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.8nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	2.35mm
	Length	6.65mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type TO-252
	Series 700V CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 30.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.8nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 2.35mm
	Length 6.65mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD70R900P7SAUMA1

The Infineon 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.

It supports less magnetic size with lower BOM costs

It has high ESD ruggedness

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