Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R900P7SAUMA1

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214-4394
Référence fabricant:
IPD70R900P7SAUMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-252

Series

700V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

30.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.42 mm

Height

2.35mm

Length

6.65mm

Automotive Standard

No

The Infineon 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.

It supports less magnetic size with lower BOM costs

It has high ESD ruggedness

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