Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R900P7SAUMA1

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214-4394
Référence fabricant:
IPD70R900P7SAUMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

700V CoolMOS P7

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

30.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.35mm

Width

6.42 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.65mm

Automotive Standard

No

The Infineon 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.

It supports less magnetic size with lower BOM costs

It has high ESD ruggedness

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