Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R900P7SAUMA1
- N° de stock RS:
- 214-4394
- Référence fabricant:
- IPD70R900P7SAUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 50 unités)*
17,80 €
(TVA exclue)
21,55 €
(TVA incluse)
Ajouter 250 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 4 950 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,356 € | 17,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4394
- Référence fabricant:
- IPD70R900P7SAUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | 700V CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 900mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 30.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.42 mm | |
| Length | 6.65mm | |
| Height | 2.35mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series 700V CoolMOS P7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 30.5W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.42 mm | ||
Length 6.65mm | ||
Height 2.35mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.
It supports less magnetic size with lower BOM costs
It has high ESD ruggedness
Liens connexes
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R360P7SAUMA1
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R600P7SAUMA1
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin IPAK IPSA70R360P7SAKMA1
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220
