Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

455,00 €

(TVA exclue)

550,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 - 25000,182 €455,00 €
5000 +0,177 €442,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
214-4393
Numéro d'article Distrelec:
304-39-408
Référence fabricant:
IPD70R900P7SAUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-252

Series

700V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

30.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.42 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.65mm

Height

2.35mm

Automotive Standard

No

The Infineon 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.

It supports less magnetic size with lower BOM costs

It has high ESD ruggedness

Liens connexes