Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 10.9 A, 250 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ16DN25NS3GATMA1

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Référence fabricant:
BSZ16DN25NS3GATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TSDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

165mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.35 mm

Height

1.1mm

Length

5.49mm

Automotive Standard

No

The Infineon 250V OptiMOS products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives. With Lowest board space consumption, these allows system cost improvement. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and Environmental friendly characteristics.

It has 150 °C operating temperature

Qualified according to JEDEC for target applications

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