Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 62 A, 100 V N, 8-Pin PQFN BSZ096N10LS5ATMA1

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214-4343
Référence fabricant:
BSZ096N10LS5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

62A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PQFN

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.5mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Width

3.4 mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

This Infineon OptiMOS MOSFET offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

It is ideal for hot-swap and e-fuse applications

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