Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 10.9 A, 250 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

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N° de stock RS:
214-8987
Référence fabricant:
BSZ16DN25NS3GATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TSDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

165mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Width

6.35 mm

Length

5.49mm

Automotive Standard

No

The Infineon 250V OptiMOS products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives. With Lowest board space consumption, these allows system cost improvement. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and Environmental friendly characteristics.

It has 150 °C operating temperature

Qualified according to JEDEC for target applications

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