Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 112 A, 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET AUIRL7736M2TR

N° de stock RS:: 214-8965
Référence fabricant:: AUIRL7736M2TR
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 112 A, 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET AUIRL7736M2TR

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 214-8965
Référence fabricant:: AUIRL7736M2TR
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	112A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	DirectFET
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	52nC
	Maximum Power Dissipation Pd	63W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.35mm
	Height	0.74mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 112A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type DirectFET
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC
	Maximum Power Dissipation Pd 63W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.35mm
	Height 0.74mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AUIRL7736M2TR

The Infineon combines the latest Automotive HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced packaging platform to achieve exceptional performance in a package that has the footprint of an SO-8 or 5X6mm PQFN and only 0.7mm profile. The package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques etc. The package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.

Advanced Process Technology

Logic Level

High Power Density

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.