Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 112 A, 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET

N° de stock RS:: 214-8964
Référence fabricant:: AUIRL7736M2TR
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 112 A, 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 214-8964
Référence fabricant:: AUIRL7736M2TR
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	112A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	DirectFET
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	63W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	52nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.35mm
	Height	0.74mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 112A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type DirectFET
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 63W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.35mm
	Height 0.74mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AUIRL7736M2TR

The Infineon combines the latest Automotive HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced packaging platform to achieve exceptional performance in a package that has the footprint of an SO-8 or 5X6mm PQFN and only 0.7mm profile. The package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques etc. The package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.

Advanced Process Technology

Logic Level

High Power Density

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