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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 60 V Enhancement, 6-Pin DirectFET

N° de stock RS:: 215-2447
Référence fabricant:: AUIRF7640S2TR
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 60 V Enhancement, 6-Pin DirectFET

Sous-total (1 bobine de 4800 unités)*

3 105,60 €

(TVA exclue)

3 758,40 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
4800 +	0,647 €	3 105,60 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 215-2447
Référence fabricant:: AUIRF7640S2TR
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	DirectFET
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	36mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	30W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type DirectFET
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 30W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - AUIRF7640S2TR

The Infineon Automotive DirectFET® Power MOSFET series has 60V maximum drain source voltage with 20A maximum continuous drain current in a DirectFET Small Can package. The AUIRF7640S2TR/TR1 combines the latest Automotive HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET® packaging platform to produce a best in class part for Automotive Class D audio amplifier applications. The DirectFET® package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET® package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.

Advanced Process Technology

Optimized for Class D Audio Amplifier and High Speed Switching Applications

Low Rds(on) for Improved Efficiency

Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability

Lead free, RoHS and Halogen free

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