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Infineon DirectFET N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin DirectFET IRF6645TRPBF

N° de stock RS:: 214-4454
Référence fabricant:: IRF6645TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon DirectFET N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin DirectFET IRF6645TRPBF

Sous-total (1 bobine de 4800 unités)*

2 697,60 €

(TVA exclue)

3 264,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
4800 +	0,562 €	2 697,60 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 214-4454
Référence fabricant:: IRF6645TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	DirectFET
	Series	DirectFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	35mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type DirectFET
	Series DirectFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF6645TRPBF

This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.

It is optimized for synchronous rectification

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