Infineon DirectFET Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin DirectFET IRF6645TRPBF
- N° de stock RS:
- 214-4455
- Référence fabricant:
- IRF6645TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
7,60 €
(TVA exclue)
9,20 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 3 350 unité(s) expédiée(s) à partir du 07 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,76 € | 7,60 € |
| 50 - 90 | 0,722 € | 7,22 € |
| 100 - 240 | 0,691 € | 6,91 € |
| 250 - 490 | 0,662 € | 6,62 € |
| 500 + | 0,615 € | 6,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4455
- Référence fabricant:
- IRF6645TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | DirectFET | |
| Series | DirectFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 42W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type DirectFET | ||
Series DirectFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 42W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
It is optimized for synchronous rectification
Liens connexes
- Infineon DirectFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V DirectFET IRF7769L1TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET IRF7480MTRPBF